Rof EO მოდულატორი 780 ნმ ფაზის მოდულატორი 10 გ თხელი ფირის ლითიუმის ნიობატის მოდულატორი
ფუნქცია
მაღალი მოდულაციური გამტარობა
დაბალი ნახევარტალღური ძაბვა
შეყვანის დაბალი დაკარგვა
განაცხადი
კოსმოსური ოპტიკური საკომუნიკაციო სისტემა
ცეზიუმის ატომური დროის მითითება
სპექტრის გაფართოება
ინტერფერომეტრია
პარამეტრი
| პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||
| ოპერაციულიტალღის სიგრძე | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 2.5 | 3 | dB | |||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||
| პოლარიზაციის ჩაქრობის კოეფიციენტი | PER | 20 | dB | ||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანაპორტი | 780nm PM ბოჭკოვანი (125/250μm) | |||||
| გამომავალიპორტი | 780nm PM ბოჭკოვანი (125/250μm) | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან პერსონალიზაცია | ||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||
| ოპერაციულიგამტარუნარიანობა(-3 dB) | S21 | 8 | 10 | გჰც | |||
| ნახევარტალღური ძაბვა @50KHz | VΠ |
| 2.5 | 3 | V | ||
| ელექტროalდაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||
| შეყვანის წინაღობა | ZRF | 50 | W | ||||
| ელექტრო ინტერფეისი | K(f) | ||||||
ლიმიტის პირობები
| პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე @780nm | Pin, მაქს | დბმ | 13 | ||
| Input RF სიმძლავრე | დბმ | 33 | |||
| ოპერაციულიტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
დამახასიათებელი მრუდი
S11&S21 მრუდი
მექანიკური დიაგრამა (მმ)
R-PM-15-10G
R-PM-15-300M
შეკვეთის ინფორმაცია
| როფ | PM | 15 | 10გრ | XX | XX |
| ტიპი: PM --- ფაზის მოდულატორი | ტალღის სიგრძე: 07---780ნმ 08---850ნმ 10---1060ნმ 13---1310ნმ 15---1550ნმ | ოპერაციული გამტარობა: 300M---300MHz 10 გ --- 10 გჰც 20 გ --- 20 გჰც 40 გ --- 40 გჰც
| გამომავალი ბოჭკოების ტიპი: PP---PM/PM PS---PM/SMF SS---SMF/SMF
| ოპტიკური კონექტორი: FA---FC/APC FP---FC/PC SP --- პერსონალიზაცია |
* გთხოვთ, დაუკავშირდეთ ჩვენს გაყიდვებს, თუ გაქვთ სპეციალური მოთხოვნები.
ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული პროდუქტების სპექტრს, მათ შორის ელექტრო ოპტიკური მოდულატორები, ფაზის მოდულატორები, ფოტო დეტექტორები, ლაზერული წყაროები, DFB ლაზერები, ოპტიკური გამაძლიერებლები, EDFAs, SLD ლაზერები, QPSK მოდულაცია, პულსირებული ლაზერები, ფოტო დეტექტორები, დაბალანსებული ფოტო დეტექტორები. დრაივერები, ბოჭკოვანი წყვილები, იმპულსური ლაზერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველები, ფართოზოლოვანი ლაზერები, რეგულირებადი ლაზერები, ოპტიკური დაყოვნების ხაზები, ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორები, ოპტიკური დეტექტორები, ლაზერული დიოდის დრაივერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები და ლაზერული სინათლის წყაროები.
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრე მეტრი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი. ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
