Rof ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორი 1550nm AM Series Intensity Modulator 10G
ფუნქცია
* ჩასმის დაბალი დანაკარგი
* მაღალი გამტარობა
* დაბალი ნახევარტალღური ძაბვა
* პერსონალიზაციის ვარიანტი
განაცხადი
⚫ ROF სისტემები
⚫ კვანტური გასაღების განაწილება
⚫ ლაზერული სენსორული სისტემები
⚫ გვერდითი ზოლის მოდულაცია
ტალღის სიგრძე
⚫ 850 ნმ
⚫ 1064 ნმ
⚫ 1310 ნმ
⚫ 1550 ნმ
გამტარუნარიანობა
⚫ 300 MHz
⚫ 2.5 გჰც
⚫ 10 გჰც
⚫ 20 გჰც
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე | 850 ნმ | 1064 ნმ | 1310 ნმ | 1550 ნმ | |
| 3dB გამტარუნარიანობა | ~ 10 გჰც | ~ 10 გჰც | ~ 10 გჰც | ~ 10 გჰც | ~ 20 გჰც |
| ჩასმის დაკარგვა | ＜5დბ | ＜5დბ | ＜5დბ | ＜5დბ | |
| გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ＞ 23 დბ | ＞ 23 დბ | ＞ 23 დბ | ＞ 23 დბ | |
| VΠ @RF (1KHz) | ＜3 ვ | ＜4 ვ | <4,5 ვ | <5,5 ვ | <6V |
| VΠ @მიკერძოება | ＜3.5 ვ | ＜5 ვ | <6V | <7V | |
შეკვეთის ინფორმაცია
| R | AM | 15 | 10გრ | XX | XX |
| ტიპი: AM --- ინტენსივობის მოდულატორი | ტალღის სიგრძე: 08---850nm10---1060nm13---1310nm 15---1550ნმ | 3dB გამტარობა: 2.5G---10GHz10G---10GHz20G---20GHz 40 გ --- 28 გჰც | გამომავალი ბოჭკოების ტიპი: PP---PM/PMPS---PM/SMF
| ოპტიკური კონექტორი: FA --- FC/APCFP --- FC/PCSP --- პერსონალიზაცია |
R-AM-15-10G
ტალღის სიგრძე 1550 ნმ 10 გჰც ინტენსივობის მოდულატორი
| Პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე | l | 1530 წ | 1550 წ | 1565 წ | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||||
| გადართვის გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 25 | 45 | dB | ||||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანის პორტი | პანდა PM Fujikura SM | |||||||
| გამომავალი პორტი | პანდა PM Fujikura SM | ||||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან მომხმარებელმა უნდა მიუთითოს | ||||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული გამტარობა (-3dB) | S21 | 10 | 12 | გჰც | |||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @50KHz | 4.5 | 5 | V | ||||
| მიკერძოება | @მიკერძოება | 6 | 7 | V | |||||
| ელექტრული დაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | SMA(f) | ||||||||
ლიმიტის პირობები
| Პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე | Pin, მაქს | დბმ | 20 | ||
| შეყვანის RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| მიკერძოებული ძაბვა | ვბიას | V | -20 | 20 | |
| Ოპერაციული ტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| Შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
R-AM-15-20G
ტალღის სიგრძის 1550 ნმ 20 გჰც ინტენსივობის მოდულატორი
| Პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე | l | 1530 წ | 1550 წ | 1565 წ | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||||
| გადართვის გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 25 | 45 | dB | ||||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანის პორტი | პანდა PM Fujikura SM | |||||||
| გამომავალი პორტი | პანდა PM Fujikura SM | ||||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან მომხმარებელმა უნდა მიუთითოს | ||||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული გამტარობა (-3dB) | S21 | 18 | 20 | გჰც | |||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| მიკერძოება | @მიკერძოება |
| 6 | 7 | V | ||||
| ელექტრული დაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | SMA(f) | ||||||||
ლიმიტის პირობები
| Პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე | Pin, მაქს | დბმ | 20 | ||
| შეყვანის RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| მიკერძოებული ძაბვა | ვბიას | V | -20 | 20 | |
| Ოპერაციული ტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| Შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
R-AM-15-40G
ტალღის სიგრძის 1550 ნმ 40 გჰც ინტენსივობის მოდულატორი
| Პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე | l | 1525 წ | 1550 წ | 1565 წ | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||||
| გადართვის გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანის პორტი | პანდა PM | |||||||
| გამომავალი პორტი | პანდა PM ან SMF-28 | ||||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან მომხმარებელმა უნდა მიუთითოს | ||||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციული გამტარობა (-3dB) | S21 | 26 | 28 | 30 | გჰც | ||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @1KHz |
| 5 | 5.5 | V | |||
| მიკერძოება | @1KHz |
| 6 | 7 | V | ||||
| ელექტრული დაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | SMA(f) | ||||||||
ლიმიტის პირობები
| Პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე @850nm | Pin, მაქს | დბმ | 20 | ||
| შეყვანის RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| მიკერძოებული ძაბვა | ვბიას | V | -20 | 20 | |
| Ოპერაციული ტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| Შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
S21 მრუდი
&S11 მრუდი
S21&s11 მოსახვევები
მექანიკური დიაგრამა
| პორტი | სიმბოლო | შენიშვნა |
| In | ოპტიკური შეყვანის პორტი | PM ბოჭკოვანი (125μm/250μm) |
| გარეთ | ოპტიკური გამომავალი პორტი | PM და SMF ვარიანტი |
| RF | RF შეყვანის პორტი | SMA(f) |
| მიკერძოება | მიკერძოების კონტროლის პორტი | 1,2 მიკერძოება, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი.ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
