Rof ელექტროოპტიკური მოდულატორი 1550nm AM Series Intensity Modulator 20G
ფუნქცია
* ჩასმის დაბალი დანაკარგი
* მაღალი გამტარობა
* დაბალი ნახევარტალღური ძაბვა
* პერსონალიზაციის ვარიანტი
განაცხადი
⚫ ROF სისტემები
⚫ კვანტური გასაღების განაწილება
⚫ ლაზერული სენსორული სისტემები
⚫ გვერდითი ზოლის მოდულაცია
| როფ-AM სერია | როფ-AM-07 | როფ-AM-08 | როფ-AM-10 | როფ-AM-13 | როფ-AM-15 | |||
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე | 780 ნმ | 850 ნმ | 1064 ნმ | 1310 ნმ | 1550 ნმ | |||
| გამტარუნარიანობა | 10 გჰც | 10 გჰც | 10/20გჰც | 2.5 გჰც | 50გჰც | 10 გჰც | 20 გჰც | 40 გჰც |
| ჩასმის დაკარგვა | ＜5დბ | ＜5დბ | ＜5დბ | ＜5დბ | ＜4დბ | |||
| გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | |||
| VΠ @RF (1KHz) | ＜3 ვ | ＜3 ვ | ＜4 ვ | <3.5 ვ | ＜6V | <5 ვ | ||
| VΠ @მიკერძოება | ＜3.5V | ＜3.5V | ＜5 ვ | <5 ვ | <8 ვ | <7V | ||
შეკვეთის შესახებ ინფორმაცია
| როფ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| ტიპი: AM---ინტენსივობამოდულატორი | ტალღის სიგრძე: 07---780nm 10---1060ნმ 13 ---1310nm 15---1550ნმ | გამტარუნარიანობა: 10გრHz 20GHz 40GHz 50GHz
| PD მონიტორინგი: PD --- PD-ით | In-Out ბოჭკოვანი ტიპი: PP---PM/PM
| ოპტიკური კონექტორი: FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Cუსტომიზაცია |
R-AM-15-10G
| პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიტალღის სიგრძე | l | 1530 წ | 1550 | 1565 წ | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||||
| გადართვის გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანაპორტი | პანდა PM Fujikura SM | |||||||
| გამომავალიპორტი | პანდა PM Fujikura SM | ||||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან მომხმარებელმა უნდა მიუთითოს | ||||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიგამტარუნარიანობა(-3 dB) | S21 | 18 | 20 | გჰც | |||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bიას | @მიკერძოება |
| 6 | 7 | V | ||||
| ელექტროalდაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | K(ვ) | ||||||||
ლიმიტის პირობები
| პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე | Pin, მაქს | დბმ | 20 | ||
| Input RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| მიკერძოებული ძაბვა | ვბიას | V | -15 | 15 | |
| ოპერაციულიტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
S21 მრუდი
&S11 მრუდი
S21&s11 მოსახვევები
მექანიკური დიაგრამა
| პორტი | სიმბოლო | შენიშვნა |
| In | ოპტიკური შეყვანის პორტი | PM ბოჭკოვანი (125μm/250μm) |
| გარეთ | ოპტიკური გამომავალი პორტი | PM და SMF ვარიანტი |
| RF | RF შეყვანის პორტი | SMA(f) |
| მიკერძოება | მიკერძოების კონტროლის პორტი | 1,2 მიკერძოება, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი. ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
