Rof EO მოდულატორი ფაზის მოდულატორი 20G თხელი ფირის ლითიუმის ნიობატის მოდულატორი
ფუნქცია
■ RF გამტარობა 20/40 გჰც-მდე
■ ნახევრადტალღური ძაბვა დაბალი 3 ვოლტამდე
■ ჩასმის დანაკარგი 4.5 დბ-მდე
■ მოწყობილობის მცირე ზომა
პარამეტრი
| კატეგორია | არგუმენტი | სიმ | უნივერსიტეტი | აოინტერი | |
| ოპტიკური შესრულება (@25°C) | ოპერაციული ტალღის სიგრძე (*) | λ | nm | ~1550 | |
| ოპტიკური დაბრუნების დანაკარგი
| ორალური რეფლუქსური | dB | ≤ -27 | ||
| ოპტიკური ჩასმის დანაკარგი (*) | IL | dB | მაქს：5.5 ტიპი：4.5 | ||
| ელექტრული თვისებები (@25°C)
| 3 დბ ელექტროოპტიკური გამტარობა (2 გჰც-დან) | S21 | გჰც | X1: 2 | X1: 4 |
| წთ：18ტიპი：20 | წთ：36ტიპი：40 | ||||
| რადიოსიხშირული ნახევარტალღური ძაბვა (@50 kHz)
| Vπ | V | მაქს：3.5 ტიპი：3.0 | ||
| რადიოსიხშირული დაბრუნების დანაკარგი (2 გჰც-დან 40 გჰც-მდე)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| სამუშაო მდგომარეობა
| სამუშაო ტემპერატურა | TO | °C | -20~70 | |
* მორგებადი
დაზიანების ზღვარი
| Aარგუმენტი | სიმ | Sარჩევითი | წთ | მაქს | უნივერსიტეტი |
| რადიოსიხშირული შეყვანის სიმძლავრე | ცოდვა | X2: 4 | - | 18 | დბმ |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| RF შეყვანის რხევის ძაბვა | VPP | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| RF შეყვანის RMS ძაბვა | VRM-ები | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| შენახვის ტემპერატურა | პინი | - | - | 20 | დბმ |
| ოპტიკური შეყვანის სიმძლავრე | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| ფარდობითი ტენიანობა (კონდენსაციის გარეშე) | RH | - | 5 | 90 | % |
თუ მოწყობილობა მაქსიმალურ დაზიანების ზღვარს გადააჭარბებს, ეს გამოიწვევს მოწყობილობის შეუქცევად დაზიანებას და მოწყობილობის ამ ტიპის დაზიანებას ტექნიკური მომსახურება არ ფარავს.
S21 ტესტის ნიმუში (ტიპიური მნიშვნელობა 40 გჰც)
S21&S11
შეკვეთის ინფორმაცია
თხელი ფირის ლითიუმის ნიობატი 20 GHz/40 GHz ფაზის მოდულატორი
| არჩევადი | აღწერა | არჩევადი |
| X1 | 3 დბ ელექტროოპტიკური გამტარობა | 2or4 |
| X2 | მაქსიმალური RF შეყვანის სიმძლავრე | 4or5 |
ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული პროდუქციის ფართო სპექტრს, მათ შორის ელექტროოპტიკურ მოდულატორებს, ფაზურ მოდულატორებს, ფოტოდეტექტორებს, ლაზერულ წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA-ებს, SLD ლაზერებს, QPSK მოდულაციას, პულსირებულ ლაზერებს, ფოტოდეტექტორებს, დაბალანსებულ ფოტოდეტექტორებს, ნახევარგამტარულ ლაზერებს, ლაზერულ დრაივერებს, ბოჭკოვანი შემაერთებლებს, იმპულსურ ლაზერებს, ბოჭკოვან გამაძლიერებლებს, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველებს, ფართოზოლოვან ლაზერებს, რეგულირებად ლაზერებს, ოპტიკური დაყოვნების ხაზებს, ელექტროოპტიკურ მოდულატორებს, ოპტიკურ დეტექტორებს, ლაზერულ დიოდურ დრაივერებს, ბოჭკოვან გამაძლიერებლებს, ერბიუმის დოპირებულ ბოჭკოვან გამაძლიერებლებს და ლაზერული სინათლის წყაროებს.
LiNbO3 ფაზის მოდულატორი ფართოდ გამოიყენება მაღალსიჩქარიან ოპტიკურ საკომუნიკაციო სისტემებში, ლაზერულ სენსორებსა და ROF სისტემებში, კარგი ელექტროოპტიკური ეფექტის გამო. Ti-დიფუზიურ და APE ტექნოლოგიაზე დაფუძნებულ R-PM სერიას აქვს სტაბილური ფიზიკური და ქიმიური მახასიათებლები, რაც აკმაყოფილებს ლაბორატორიულ ექსპერიმენტებსა და სამრეწველო სისტემებში გამოყენების უმეტეს მოთხოვნებს.
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტროოპტიკური მოდულატორების, ფაზური მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორების, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროების, DFB ლაზერების, ოპტიკური გამაძლიერებლების, EDFA, SLD ლაზერის, QPSK მოდულაციის, პულსური ლაზერის, სინათლის დეტექტორის, დაბალანსებული ფოტოდეტექტორის, ლაზერული დრაივერის, ბოჭკოვანი ოპტიკური გამაძლიერებლის, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველის, ფართოზოლოვანი ლაზერის, რეგულირებადი ლაზერის, ოპტიკური დეტექტორის, ლაზერული დიოდური დრაივერის, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლის პროდუქციის ხაზს. ჩვენ ასევე გთავაზობთ მრავალ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზური მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი ჩაქრობის კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის სასარგებლო იქნება.
