Rof ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორი 850 ნმ ელექტრო ოპტიკური ინტენსივობის მოდულატორი 10 გ
ფუნქცია
შეყვანის დაბალი დაკარგვა
დაბალი ნახევრად ძაბვა
მაღალი სტაბილურობა
განაცხადი
კოსმოსური ოპტიკური საკომუნიკაციო სისტემა
ცეზიუმის ატომური დროის ბაზა
პულსის გენერატორი
კვანტური ოპტიკა
შესრულება
მაქსიმალური DC გადაშენების კოეფიციენტი
ამ ექსპერიმენტში არ იყო გამოყენებული RF სიგნალები სისტემაზე. გაზომილია სუფთა DC ექსტინციტონი.
1. სურათი 5 გვიჩვენებს მოდულატორის გამომავალი ოპტიკური სიმძლავრეს, როდესაც მოდულატორი კონტროლდება პიკის წერტილში. დიაგრამაზე ნაჩვენებია 3.71 dBm.
2. სურათი 6 გვიჩვენებს მოდულატორის გამომავალი ოპტიკური სიმძლავრეს, როდესაც მოდულატორი აკონტროლებს ნულ წერტილში. დიაგრამაზე ნაჩვენებია -46,73 dBm. რეალურ ექსპერიმენტში, მნიშვნელობა მერყეობს დაახლოებით -47dBm; და -46.73 არის სტაბილური მნიშვნელობა.
3. მაშასადამე, გაზომილი DC გაქრობის სტაბილური კოეფიციენტი არის 50.4dB.
მოთხოვნები მაღალი გადაშენების კოეფიციენტისთვის
1. სისტემის მოდულატორს უნდა ჰქონდეს გაქრობის მაღალი კოეფიციენტი. სისტემური მოდულატორის მახასიათებელი წყვეტს მაქსიმალური გადაშენების კოეფიციენტის მიღწევას.
2. მოდულატორის შეყვანის შუქის პოლარიზაციაზე ზრუნვა. მოდულატორები მგრძნობიარეა პოლარიზაციის მიმართ. სათანადო პოლარიზაციას შეუძლია გააუმჯობესოს გადაშენების კოეფიციენტი 10 დბ-ზე მეტი. ლაბორატორიულ ექსპერიმენტებში, როგორც წესი, საჭიროა პოლარიზაციის კონტროლერი.
3. სათანადო მიკერძოების კონტროლერები. ჩვენს DC გადაშენების კოეფიციენტის ექსპერიმენტში მიღწეულია 50.4dB გადაშენების კოეფიციენტი. მიუხედავად იმისა, რომ მოდულატორის წარმოების მონაცემთა ფურცელში მითითებულია მხოლოდ 40 დბ. ამ გაუმჯობესების მიზეზი არის ის, რომ ზოგიერთი მოდულატორი ძალიან სწრაფად მოძრაობს. Rofea R-BC-ANY მიკერძოებული კონტროლერები ახდენენ მიკერძოების ძაბვას ყოველ 1 წამში, რათა უზრუნველყონ სწრაფი რეაგირება.
სპეციფიკაციები
| პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიტალღის სიგრძე | l | 830 | 850 | 870 | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დაკარგვა | ORL | -45 | dB | ||||||
| გადართვის გადაშენების კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი | შეყვანაპორტი | PM780ბოჭკოვანი (125/250μm) | |||||||
| გამომავალიპორტი | PM780ბოჭკოვანი (125/250μm) | ||||||||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC,FC/APC ან პერსონალიზაცია | ||||||||
| ელექტრული პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიგამტარუნარიანობა(-3 dB) | S21 | 10 | 12 | გჰც | |||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @1კჰც |
| 2.5 | 3 | V | |||
| Bიას | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
| ელექტროalდაბრუნების დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | SMA(f) | ||||||||
ლიმიტის პირობები
| პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე @850nm | Pin, მაქს | დბმ | 10 | ||
| Input RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| მიკერძოებული ძაბვა | ვბიას | V | -15 | 15 | |
| ოპერაციულიტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| შენახვის ტემპერატურა | ც | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
დამახასიათებელი მრუდი
შეკვეთის შესახებ ინფორმაცია:
| როფ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| ტიპი: AM---ინტენსივობამოდულატორი | ტალღის სიგრძე: 07---780nm 10---1060ნმ 13 ---1310nm 15---1550ნმ | გამტარუნარიანობა: 10გრჰც 20GHz 40GHz 50GHz
| PD მონიტორინგი: PD --- PD-ით | In-Out ბოჭკოვანი ტიპი: PP---PM/PM
| ოპტიკური კონექტორი: FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Cუსტომიზაცია |
გთხოვთ დამიკავშირდეთ თუ თქვენ გაქვთ სპეციალური მოთხოვნა
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი. ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.