Rof ელექტროოპტიკური მოდულატორი 850 ნმ ელექტროოპტიკური ინტენსივობის მოდულატორი 10G
ფუნქცია
დაბალი ჩასმის დანაკარგი
დაბალი ნახევრად ძაბვა
მაღალი სტაბილურობა
აპლიკაცია
კოსმოსური ოპტიკური საკომუნიკაციო სისტემა
ცეზიუმის ატომური დროის ბაზა
პულსის გენერატორი
კვანტური ოპტიკა
შესრულება
მაქსიმალური DC ჩაქრობის კოეფიციენტი
ამ ექსპერიმენტში სისტემაზე რადიოსიხშირული სიგნალები არ იყო გამოყენებული. გაიზომა სუფთა დენის გადაშენება.
1. სურათი 5 ასახავს მოდულატორის გამომავალი სიგნალის ოპტიკურ სიმძლავრეს, როდესაც მოდულატორი კონტროლდება პიკურ წერტილში. დიაგრამაზე ნაჩვენებია 3.71 დბმ.
2. სურათი 6 გვიჩვენებს მოდულატორის გამოსავლის ოპტიკურ სიმძლავრეს, როდესაც მოდულატორი კონტროლდება ნულოვან წერტილში. დიაგრამაზე ნაჩვენებია -46.73 დბმ. რეალურ ექსპერიმენტში, მნიშვნელობა მერყეობს -47 დბმ-ის გარშემო; და -46.73 არის სტაბილური მნიშვნელობა.
3. ამრიგად, გაზომილი სტაბილური DC ჩაქრობის კოეფიციენტია 50.4 დბ.
მაღალი ჩაქრობის კოეფიციენტის მოთხოვნები
1. სისტემის მოდულატორს უნდა ჰქონდეს მაღალი ჩაქრობის კოეფიციენტი. სისტემის მოდულატორის მახასიათებელი განსაზღვრავს მაქსიმალური ჩაქრობის კოეფიციენტის მიღწევას.
2. მოდულატორის შემავალი სინათლის პოლარიზაცია უნდა იყოს უზრუნველყოფილი. მოდულატორები მგრძნობიარეა პოლარიზაციის მიმართ. სათანადო პოლარიზაციამ შეიძლება გააუმჯობესოს ჩაქრობის კოეფიციენტი 10 დბ-ზე მეტით. ლაბორატორიულ ექსპერიმენტებში, როგორც წესი, საჭიროა პოლარიზაციის კონტროლერი.
3. სათანადო გადახრის კონტროლერები. ჩვენი DC ჩაქრობის კოეფიციენტის ექსპერიმენტში მიღწეული იქნა 50.4dB ჩაქრობის კოეფიციენტი. მოდულატორის მწარმოებლის მონაცემთა ცხრილში მხოლოდ 40dB არის მითითებული. ამ გაუმჯობესების მიზეზი ის არის, რომ ზოგიერთი მოდულატორი ძალიან სწრაფად დრიფტდება. Rofea R-BC-ANY გადახრის კონტროლერები აახლებენ გადახრის ძაბვას ყოველ 1 წამში, რათა უზრუნველყონ სწრაფი რეაგირება.
სპეციფიკაციები
| პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | ||||
| ოპტიკური პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიტალღის ტალღა | l | 830 | 850 | 870 | nm | ||||
| ჩასმის დაკარგვა | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| ოპტიკური დაბრუნების დანაკარგი | ორალური რეფლუქსური | -45 | dB | ||||||
| გადართვის ჩაქრობის კოეფიციენტი @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| დინამიური ჩაქრობის კოეფიციენტი | DER | 13 | dB | ||||||
| ოპტიკურ-ბოჭკოვანი | შეყვანაპორტი | PM780ბოჭკოვანი (125/250 მკმ) | |||||||
| გამომავალიპორტი | PM780ბოჭკოვანი (125/250 მკმ) | ||||||||
| ოპტიკურ-ბოჭკოვანი ინტერფეისი | FC/PC, FC/APC ან მორგება | ||||||||
| ელექტრო პარამეტრები | |||||||||
| ოპერაციულიგამტარუნარიანობა（-3 დბ) | S21 | 10 | 12 | გჰც | |||||
| ნახევარტალღური ძაბვა Vpi | RF | @1კჰც |
| 2.5 | 3 | V | |||
| Bიას | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
| ელექტროalშემოსავლის დაკარგვა | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| შეყვანის წინაღობა | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| მიკერძოება | Zმიკერძოება | 1M | W | ||||||
| ელექტრო ინტერფეისი | SMA(f) | ||||||||
ზღვრული პირობები
| პარამეტრი | სიმბოლო | ერთეული | მინ | ტიპი | მაქს |
| შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე @850nm | Pმაქსში | დბმ | 10 | ||
| In-შემავალი RF სიმძლავრე | დბმ | 28 | |||
| გადახრის ძაბვა | Vbias | V | -15 | 15 | |
| ოპერაციულიტემპერატურა | ზედა | ℃ | -10 | 60 | |
| შენახვის ტემპერატურა | ტესტი | ℃ | -40 | 85 | |
| ტენიანობა | RH | % | 5 | 90 |
დამახასიათებელი მრუდი
შეკვეთის ინფორმაცია:
| როფ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| ტიპი： დილა---ინტენსივობამოდულატორი | ტალღის სიგრძე： 07---780nm 10---1060 ნმ 13---1310nm 15---1550 ნმ | გამტარუნარიანობა： 10 გრამიჰც 20GHz 40GHz 50GHz
| მონიტორის PD: PD---PD-თან ერთად | შემავალი-გამომავალი ბოჭკოვანი ტიპი： PP---PM/PM
| ოპტიკური კონექტორი： FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Cადაპტაცია |
გთხოვთ, დამიკავშირდეთ, თუ გაქვთ განსაკუთრებული მოთხოვნა
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტროოპტიკური მოდულატორების, ფაზური მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორების, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროების, DFB ლაზერების, ოპტიკური გამაძლიერებლების, EDFA, SLD ლაზერის, QPSK მოდულაციის, პულსური ლაზერის, სინათლის დეტექტორის, დაბალანსებული ფოტოდეტექტორის, ლაზერული დრაივერის, ბოჭკოვანი ოპტიკური გამაძლიერებლის, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველის, ფართოზოლოვანი ლაზერის, რეგულირებადი ლაზერის, ოპტიკური დეტექტორის, ლაზერული დიოდური დრაივერის, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლის პროდუქციის ხაზს. ჩვენ ასევე გთავაზობთ მრავალ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზური მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი ჩაქრობის კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის სასარგებლო იქნება.