თხელი და რბილი ახალი ნახევარგამტარული მასალების გამოყენება შესაძლებელია მიკრო და ნანო ოპტოელექტრონული მოწყობილობების დასამზადებლად

თხელი და რბილი ახალი ნახევარგამტარული მასალების გამოყენება შესაძლებელია მიკრო დანანო ოპტოელექტრონული მოწყობილობები

სიმძლავრეები, მხოლოდ რამდენიმე ნანომეტრის სისქე, კარგი ოპტიკური თვისებები... რეპორტიორმა ნანკინის ტექნოლოგიური უნივერსიტეტიდან შეიტყო, რომ სკოლის ფიზიკის დეპარტამენტის პროფესორის სამეცნიერო ჯგუფმა მოამზადა ულტრათხელი, მაღალი ხარისხის ორგანზომილებიანი ტყვიის იოდიდის კრისტალი და მისი მეშვეობით მიღწეული იქნა ორგანზომილებიანი გარდამავალი ლითონის სულფიდური მასალების ოპტიკური თვისებების რეგულირება, რაც მზის უჯრედების დამზადების ახალ იდეას იძლევა.ფოტოდეტექტორებიშედეგები გამოქვეყნდა საერთაშორისო ჟურნალ „Advanced Materials“-ის უახლეს ნომერში.

„ულტრათხელი ტყვიის იოდიდის ნანოფურცლები, რომლებიც პირველად მოვამზადეთ, ტექნიკური ტერმინია „ატომურად სქელი ფართო ზოლური უფსკრულის ორგანზომილებიანი PbI2 კრისტალები“, რომელიც წარმოადგენს ულტრათხელ ნახევარგამტარულ მასალას, რომლის სისქე მხოლოდ რამდენიმე ნანომეტრია“. სტატიის პირველმა ავტორმა და ნანკინის ტექნოლოგიური უნივერსიტეტის დოქტორანტმა სუნ იანმა განაცხადა, რომ მათ სინთეზირებისთვის გამოიყენეს ხსნარის მეთოდი, რომელსაც ძალიან დაბალი აღჭურვილობა სჭირდება და აქვს სიმარტივის, სისწრაფისა და ეფექტურობის უპირატესობები, და შეუძლია დააკმაყოფილოს დიდი ფართობის და მაღალი მოსავლიანობის მასალის მომზადების საჭიროებები. სინთეზირებულ ტყვიის იოდიდის ნანოფურცლებს აქვთ რეგულარული სამკუთხა ან ექვსკუთხა ფორმა, საშუალო ზომა 6 მიკრონი, გლუვი ზედაპირი და კარგი ოპტიკური თვისებები.

მკვლევარებმა ტყვიის იოდიდის ეს ულტრათხელი ნანოფურცელი ორგანზომილებიან გარდამავალი ლითონის სულფიდებთან გააერთიანეს, ხელოვნურად შექმნეს, ერთმანეთზე დააწყვეს და სხვადასხვა ტიპის ჰეტეროშეერთებები მიიღეს, რადგან ენერგიის დონეები სხვადასხვაგვარად არის განლაგებული, ამიტომ ტყვიის იოდიდს შეუძლია განსხვავებული გავლენა მოახდინოს სხვადასხვა ორგანზომილებიანი გარდამავალი ლითონის სულფიდების ოპტიკურ მახასიათებლებზე. ამ ზოლურ სტრუქტურას შეუძლია ეფექტურად გააუმჯობესოს სინათლის ეფექტურობა, რაც ხელს უწყობს ისეთი მოწყობილობების წარმოებას, როგორიცაა სინათლის გამოსხივების დიოდები და ლაზერები, რომლებიც გამოიყენება დისპლეებსა და განათებაში და შეიძლება გამოყენებულ იქნას ფოტოდეტექტორების სფეროში.ფოტოელექტრული მოწყობილობები.

ეს მიღწევა ორგანზომილებიანი გარდამავალი ლითონის სულფიდური მასალების ოპტიკური თვისებების რეგულირებას ულტრათხელი ტყვიის იოდიდით ახორციელებს. სილიციუმის ბაზაზე დაფუძნებულ მასალებზე დაფუძნებულ ტრადიციულ ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებთან შედარებით, ამ მიღწევას მოქნილობის, მიკრო და ნანო მახასიათებლები ახასიათებს. ამიტომ, მისი გამოყენება შესაძლებელია მოქნილი და ინტეგრირებული მასალების დასამზადებლად.ოპტოელექტრონული მოწყობილობებიმას ფართო გამოყენების პერსპექტივა აქვს ინტეგრირებული მიკრო და ნანო ოპტოელექტრონული მოწყობილობების სფეროში და ახალ იდეას გვთავაზობს მზის უჯრედების, ფოტოდეტექტორების და ა.შ. წარმოებისთვის.