სიახლეები

  • ნისლის პრინციპი და კლასიფიკაცია

    ნისლის პრინციპი და კლასიფიკაცია

    ნისლის პრინციპი და კლასიფიკაცია (1)პრინციპი ნისლის პრინციპს ფიზიკაში საგნაკის ეფექტი ეწოდება. სინათლის დახურულ გზაზე, ერთი და იგივე სინათლის წყაროდან სინათლის ორი სხივი ჩარევა მოხდება, როდესაც ისინი ერთსა და იმავე აღმოჩენის წერტილში გადაინაცვლებენ. თუ სინათლის დახურულ ბილიკს აქვს ბრუნვის მიმართება...
    დაწვრილებით
  • მიმართულების დაწყვილების მუშაობის პრინციპი

    მიმართულების დაწყვილების მუშაობის პრინციპი

    მიმართულების წყვილები არის სტანდარტული მიკროტალღური/მილიმეტრიანი ტალღის კომპონენტები მიკროტალღური გაზომვისა და სხვა მიკროტალღური სისტემებში. მათი გამოყენება შესაძლებელია სიგნალის იზოლაციისთვის, განცალკევებისთვის და შერევისთვის, როგორიცაა დენის მონიტორინგი, წყაროს გამომავალი სიმძლავრის სტაბილიზაცია, სიგნალის წყაროს იზოლირება, გადაცემა და რეფლექსი...
    დაწვრილებით
  • რა არის EDFA გამაძლიერებელი

    რა არის EDFA გამაძლიერებელი

    EDFA (ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი), რომელიც პირველად გამოიგონეს 1987 წელს კომერციული გამოყენებისთვის, არის ყველაზე განლაგებული ოპტიკური გამაძლიერებელი DWDM სისტემაში, რომელიც იყენებს ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოს, როგორც ოპტიკური გამაძლიერებელი საშუალება სიგნალების პირდაპირ გასაძლიერებლად. ის იძლევა მყისიერ გაძლიერებას სიგნალებისთვის მრავალ...
    დაწვრილებით
  • იბადება ყველაზე პატარა ხილული სინათლის ფაზის მოდულატორი ყველაზე დაბალი სიმძლავრით

    იბადება ყველაზე პატარა ხილული სინათლის ფაზის მოდულატორი ყველაზე დაბალი სიმძლავრით

    ბოლო წლებში მკვლევარებმა სხვადასხვა ქვეყნიდან გამოიყენეს ინტეგრირებული ფოტონიკა ინფრაწითელი სინათლის ტალღების თანმიმდევრული მანიპულაციის გასაცნობად და მათი გამოყენების მაღალსიჩქარიანი 5G ქსელებში, ჩიპების სენსორებსა და ავტონომიურ მანქანებზე. ამჟამად, ამ კვლევითი მიმართულების უწყვეტი გაღრმავებასთან ერთად...
    დაწვრილებით
  • 42.7 Gbit/S ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორი სილიკონის ტექნოლოგიაში

    42.7 Gbit/S ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორი სილიკონის ტექნოლოგიაში

    ოპტიკური მოდულატორის ერთ-ერთი ყველაზე მნიშვნელოვანი თვისებაა მისი მოდულაციის სიჩქარე ან გამტარუნარიანობა, რომელიც მინიმუმ ისეთივე სწრაფი უნდა იყოს, როგორც ხელმისაწვდომი ელექტრონიკა. ტრანზისტორები, რომლებსაც აქვთ სატრანზიტო სიხშირე 100 გჰც-ზე ბევრად მეტი, უკვე ნაჩვენებია 90 ნმ სილიკონის ტექნოლოგიაში და სიჩქარე იქნება ...
    დაწვრილებით