ROF -BPR Series 200M Balanced Photodetector Light Detection Module Optical Detector
ფუნქცია
⚫ სპექტრის დიაპაზონი: 320-1000, 850-1650 ნმ
⚫ 3dB გამტარობა 200MHz
⚫ დაბალი ხმაური
⚫ მაღალი მოგება
⚫ DC 15V დენის მიწოდება
განაცხადი
⚫ჰეტეროდინის გამოვლენა
⚫დაყოვნების ოპტიკური გაზომვა
⚫ოპტიკური ბოჭკოვანი სენსორული სისტემა
⚫ (ოქტ)
Პარამეტრები
შესრულების პარამეტრები
| აკრიფეთ პარამეტრი | ROF-BPR-200M-A | ROF-BPR-200M-B |
| სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი | 850-1650 ნმ | 320-1000 ნმ |
| მასალის ტიპი | InGaAs | Si |
| სინათლის შეყვანა | ||
| რეაგირება | 0.9A/W@1550nm | 0.5A/W@700nm |
| 3dB გამტარუნარიანობა | DC-200MHz | DC-200MHz |
| აწევის დრო | 1,5 წმ | 1,5 წმ |
| CMRR | > 20 დბ | > 20 დბ |
| მიიღეთ @RF გამომავალი | 1.1×104V/W | 0.6×104V/W |
| ხმაურის ექვივალენტური სიმძლავრე | 7pw/√Hz | 14pw/√Hz |
| გაჯერებული ოპტიკური სიმძლავრე @RF გამომავალი | -5 დბმ | -2 დბმ |
| Ენერგიის წყარო | DC ± 12V | |
| შეყვანის ფლანგა | FC | |
| გამომავალი კონექტორი | SMA | |
| გამომავალი წინაღობა | 50 | |
| გამომავალი შეერთების მეთოდი | AC | |
| მაქსიმალური შეყვანის ოპტიკური სიმძლავრე | 10 მვტ | |
| Ოპერაციული ტემპერატურა | 0-40℃ | |
| Შენახვის ტემპერატურა | -40~85℃ | |
| ზომები | 78 x 68 x 45 მმ | |
მრუდი
დამახასიათებელი მრუდი
სპექტრული რეაგირების მრუდი შიდა მიკროსქემის დიაგრამა
ზომები (მმ)
ინფორმაცია
Შეკვეთის ინფორმაცია
| ROF | BPR | XXX | X | XX |
| გამოვლენის მოდულის ტიპი: BPR — დაბალანსებული ფოტორევივერი | ოპერაციული გამტარობა: 200M---200MHz | ტალღის სიგრძის რეაგირების დიაპაზონი A--- 850~1650nm | შეერთების მეთოდი: FC |
* თუ თქვენ გაქვთ სპეციალური მოთხოვნები, გთხოვთ, დაუკავშირდეთ ჩვენს გამყიდველს
Ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გამოფენს ელექტრო-ოპტიკური პროდუქტების ფართო არჩევანს, მათ შორის მოდულატორები, ფოტოდეტექტორები, ლაზერული წყაროები, dfb ლაზერები, ოპტიკური გამაძლიერებლები, EDFAs, SLD ლაზერები, QPSK მოდულაცია, პულსირებული ლაზერები, ფოტოდეტექტორები, დაბალანსებული ფოტოდეტექტორები, ნახევარგამტარები, ლაზერული ბოჭკოები, ნახევარგამტარები. პულსირებული ლაზერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველები, ფართოზოლოვანი ლაზერები, რეგულირებადი ლაზერები, ოპტიკური შეფერხებები, ელექტროოპტიკური მოდულატორები, ფოტოდეტექტორები, ლაზერული დიოდის დრაივერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები და წყაროს ლაზერები.
ჩვენ ასევე გთავაზობთ მორგებულ მოდულატორებს, მათ შორის 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორებს, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორებს, რომლებიც სპეციალურად შექმნილია უნივერსიტეტებისა და კვლევითი ინსტიტუტებისთვის.
ამ პროდუქტებს აქვთ ელექტრო-ოპტიკური გამტარობა 40 გჰც-მდე, ტალღის სიგრძის დიაპაზონი 780 ნმ-დან 2000 ნმ-მდე, დაბალი ჩასმის დანაკარგი, დაბალი Vp და მაღალი PER, რაც მათ შესაფერისს ხდის ანალოგური RF ბმულების და მაღალსიჩქარიანი საკომუნიკაციო აპლიკაციებისთვის.
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი.ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
