ROF დაბალანსებული ფოტოდეტექტორი მაღალი მგრძნობელობის ფოტოდეტექტორი სილიკონის ფოტოდეტექტორი გაძლიერებით
ფუნქცია
ტალღის სიგრძის დიაპაზონი: 900-1700 ნმ (400-1100 ნმ სურვილისამებრ)
3dB გამტარობა: DC-200MHz/350MHz
მაღალი საერთო რეჟიმის უარყოფის კოეფიციენტი: 30dB
მაღალი მომატება: 38×103V/W (სხვა მიღწევების მორგება შესაძლებელია)
განაცხადი
⚫ჰეტეროდინის გამოვლენა
⚫დაყოვნების ოპტიკური გაზომვა
⚫ოპტიკური ბოჭკოვანი სენსორული სისტემა
⚫ (ოქტ)
პარამეტრები
შესრულების პარამეტრები
| მოდელი ნომერი | ROF-BPR-200 მ-A-FC-H-DC | ROF-BPR-200 მ-A-FC-DC | ROF-BPR-350 მ-A-FC-DC | |
| სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი | 900-1700 წწnm | 900-1700 წწnm | 900-1700 წწnm | |
| ტიპიური ტალღის სიგრძე * | 1310 ნმ/1550 ნმ | 1310 ნმ/1550 ნმ | 1310 ნმ/1550 ნმ | |
| პასუხისმგებლობა | 0.95A/W@1550nm | 0.95A/W@1550nm | 0.95A/W@1550nm | |
| 3dB გამტარობა | DC-200MHz | DC-200MHz | DC-350MHz | |
| საერთო რეჟიმის უარყოფის კოეფიციენტი CMRR | > 25 დბ(30dB ტიპი.) | > 25 დბ(30dB ტიპი.) | > 25 დბ(30dB ტიპი.) | |
| მომატება @ მაღალი წინააღმდეგობის მდგომარეობა | 38× 103V/W | 20× 103V/W | 14× 103V/W | |
| ხმაურის ძაბვა (RMS) | ＜20 მვRMS | ＜10 მვRMS | ＜10 მვRMS | |
| მგრძნობელობა | -26 დბმ | -33 დბმ | -33 დბმ | |
| გაჯერებული ოპტიკური სიმძლავრე (CW) | -9 დბმ | -12 დბმ | -5 დბმ | |
| მაქსიმალური გამომავალი ამპლიტუდა | 3.5 Vpp | 3.5 Vpp | 3.5 Vpp | |
| დაზიანებული ოპტიკური სიმძლავრე | 10 მვტ | |||
| ოპერაციული ტემპერატურის დიაპაზონი | -20~+70℃ | |||
| ოპერაციული ძაბვა | DC ±15 ვ | |||
| სამუშაო დენი | 50 mA | |||
| შეყვანის კონექტორი | FC | |||
| გამომავალი კონექტორი | SMA | |||
| გამომავალი წინაღობა | 50 ohms | |||
| გამომავალი შეერთების რეჟიმი | ნაგულისხმევი DC შეერთება (AC სურვილისამებრ) | |||
| საერთო ზომები (მმ) | 78,5 მმ×71,5 მმ×20 მმ | |||
მრუდი
დამახასიათებელი მრუდი
სპექტრული რეაგირების მრუდი შიდა მიკროსქემის დიაგრამა
ზომები (მმ)
ინფორმაცია
შეკვეთის შესახებ ინფორმაცია
| ROF | XXX | XX | X | XX | XX | X |
| BPR-- ფიქსირებული მომატების დაბალანსებული დეტექტორიGBPR-- მოიპოვეთ რეგულირებადი ბალანსის დეტექტორი | -3 დბ გამტარუნარიანობა:10M---10MHz 80 მ ---80 მHz 200 მ ---200 მლHz 350M---350MHz 400 მ---400 MHz 1G---1GHz 1.6 გ---1.6 გჰც
| ოპერაციული ტალღის სიგრძე:A---850~1650ნმ (1550 ნმ ტესტი) B---320~1000ნმ (850 ნმ ტესტი) A1---900~1400ნმ (1064 ნმ ტესტი) A2---1200~1700ნმ (1310 ნმ or 1550 ნმ ტესტი) | შეყვანის ტიპი:FC----ბოჭკოვანი შეერთება FS----თავისუფალი ადგილი | შეერთების ტიპი:DC---DCდაწყვილება AC---ACდაწყვილება | მოგების ტიპი:ნულოვანი - ნორმალური მოგება H--მომატების მაღალი მოთხოვნა |
შენიშვნა:
1,10 M, 80 MHz, 200 MHz, 350 MHz და 400 MHz გამტარუნარიანობის დეტექტორები მხარს უჭერენ მოქმედ ზოლებს A და B; შეერთების ტიპი ორივე AC და DC შეერთება არჩევითია.
2, 1 გჰც, 1.6 გჰც, A1 და A2 სამუშაო ზოლების მხარდაჭერა; შეერთების ტიპი მხარდაჭერილია მხოლოდ AC დაწყვილება.
3, მომატება რეგულირდება (150MHz) სამუშაო ჯგუფის A და B მხარდასაჭერად; შეერთების ტიპი ორივე AC და DC შეერთება არჩევითია.
4, მაგალითად, ROF-BPR-350M-A-FC-AC: 350MHz ფიქსირებული მომატების დაბალანსებული ზონდის მოდული, ოპერაციული ტალღის სიგრძე 1550nm (850-1650nm), AC დაწყვილებული გამომავალი.
* თუ თქვენ გაქვთ სპეციალური მოთხოვნები, გთხოვთ, დაუკავშირდეთ ჩვენს გამყიდველს
ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გამოფენს ელექტრო-ოპტიკური პროდუქტების ფართო არჩევანს, მათ შორის მოდულატორები, ფოტოდეტექტორები, ლაზერული წყაროები, dfb ლაზერები, ოპტიკური გამაძლიერებლები, EDFAs, SLD ლაზერები, QPSK მოდულაცია, პულსირებული ლაზერები, ფოტოდეტექტორები, დაბალანსებული ფოტოდეტექტორები, ნახევარგამტარები, ლაზერები, ნახევარგამტარები. იმპულსური ლაზერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველები, ფართოზოლოვანი ლაზერები, რეგულირებადი ლაზერები, ოპტიკური შეფერხებები, ელექტროოპტიკური მოდულატორები, ფოტოდეტექტორები, ლაზერული დიოდის დრაივერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები და წყაროს ლაზერები.
ჩვენ ასევე გთავაზობთ მორგებულ მოდულატორებს, მათ შორის 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორებს, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორებს, რომლებიც სპეციალურად შექმნილია უნივერსიტეტებისა და კვლევითი ინსტიტუტებისთვის.
ამ პროდუქტებს აქვთ ელექტრო-ოპტიკური გამტარობა 40 გჰც-მდე, ტალღის სიგრძის დიაპაზონი 780 ნმ-დან 2000 ნმ-მდე, დაბალი ჩასმის დანაკარგი, დაბალი Vp და მაღალი PER, რაც მათ შესაფერისს ხდის ანალოგური RF ბმულების და მაღალსიჩქარიანი საკომუნიკაციო აპლიკაციებისთვის.
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი. ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
