Rof EA მოდულატორი ლაზერი პულსი ლაზერული წყარო DFB ლაზერული მოდული EA ლაზერული სინათლის წყარო
ფუნქცია
დაბალი წამყვანი ძაბვა: <2.5V
მაღალი გამტარობა:>10G,>40G (სურვილისამებრ)
გაქრობის მაღალი კოეფიციენტი: 10dB
მოდულის პაკეტის დესკტოპის პაკეტი
განაცხადი
10Gbpshihg-სიჩქარიანი ოპტიკური ბოჭკოვანი საკომუნიკაციო სისტემა
40 გბაიტიანი სიჩქარის ოპტიკური ბოჭკოვანი სისტემა
მიკროტალღური ფოტონიკა
Პარამეტრები
| Პარამეტრი | სიმბოლო | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული | |
| ცენტრალური ტალღის სიგრძე | λC | 1530 წ | - | 1564 წ | nm | |
| გამომავალი საშუალო სინათლის სიმძლავრე | პავგ | -4 | 0 | დბმ | ||
| 3დბსპექტრული სიგანე | Dl | 2 | 10 | MHz | ||
| ტალღის სტაბილურობა | 0.01 | nm | ||||
| SMSR | SMSR | 30 | 45 | - | dB | |
| დენის სტაბილურობა** | PSS | ±0.005 | dB/5 წთ | |||
| PLS | ±0.01 | dB/8h | ||||
| მოდულაციის წამყვანი ძაბვა | Vpp | 2.0 | 2.5 | V | ||
| 3დბგამტარუნარიანობა | EAS-10 | BW | 10 | 12 | - | გჰც |
| EAS-40 | 32 | 35 | გჰც | |||
| დინამიური გადაშენების კოეფიციენტი | ER | 9 | 10 | dB | ||
| სპეციფიკაცია | სამუშაო მაგიდა | მოდული | ||||
| ზომები | LxWxH | 320×220×90 მმ | 90×70×18 მმ | |||
| დენის მოთხოვნილება | AC 220 V ± 10 ％ 30 W | DC +5V GND | ||||
| შეყვანის სიგნალის ინტერფეისი | SMA(f) / V(f) | |||||
| გამომავალი ოპტიკური ბოჭკო | ერთჯერადი რეჟიმი ბოჭკოვანი smf-28 | |||||
| გამომავალი ოპტიკური ინტერფეისი | FC/PC FC/APCან მომხმარებლის მითითებული | |||||
ტიპიური სპექტრი
Ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტროოპტიკური მოდულატორების, ფაზური მოდულატორების, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროების, DFB ლაზერების, ოპტიკური გამაძლიერებლების, EDFA-ს, SLD ლაზერებს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერებს, სინათლის დეტექტორებს, დაბალანსებულ ფოტოდეტექტორებს, ნახევარგამტარულ დრაივერებს. , ბოჭკოვანი დამწყებლები, პულსირებული ლაზერები, ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველები, ფართოზოლოვანი ლაზერები, რეგულირებადი ლაზერები, ოპტიკური დაყოვნების ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორები, ოპტიკური დეტექტორები, ლაზერული დიოდის დრაივერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები და ლაზერული სინათლის წყაროები.გარდა ამისა, ჩვენ გთავაზობთ ბევრ კონფიგურირებად მოდულატორს, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.ჩვენი პროდუქტები გვთავაზობენ ტალღის სიგრძის დიაპაზონს 780 ნმ-დან 2000 ნმ-მდე ელექტრო-ოპტიკური გამტარუნარიანობით 40 გჰც-მდე, დაბალი ჩასმის დანაკარგებით, დაბალი Vp და მაღალი PER-ით.ისინი იდეალურია სხვადასხვა აპლიკაციებისთვის, დაწყებული ანალოგური RF ბმულებიდან დაწყებული მაღალსიჩქარიანი კომუნიკაციებით.
დიდი უპირატესობები ინდუსტრიაში, როგორიცაა პერსონალიზაცია, მრავალფეროვნება, სპეციფიკაციები, მაღალი ეფექტურობა, შესანიშნავი მომსახურება.და 2016 წელს მოიპოვა პეკინის მაღალტექნოლოგიური საწარმოს სერთიფიკატი, აქვს მრავალი პატენტის სერთიფიკატი, ძლიერი სიძლიერე, პროდუქცია გაიყიდა სახლში და მის ფარგლებს გარეთ, თავისი სტაბილური, უმაღლესი შესრულებით, რათა მოიგოს მომხმარებლების ქება სახლში და მის ფარგლებს გარეთ!
21-ე საუკუნე არის ფოტოელექტრული ტექნოლოგიების ენერგიული განვითარების ერა, ROF მზადაა ყველაფერი გააკეთოს თქვენთვის, რომ მოგაწოდოთ მომსახურება და შექმნათ ბრწყინვალები თქვენთან ერთად.ჩვენ მოუთმენლად ველით თქვენთან თანამშრომლობას!
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი.ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
