Rof Nanosecond pulsed ლაზერის მოდულატორი ლაზერული სინათლის წყარო ns პულსი ლაზერის მოდული
ფუნქცია
ყველაზე ვიწრო პულსი 3 წმ-მდეა
პულსის სიგანე რეგულირებადია
პულსის გამეორების სიხშირე რეგულირებადია
შიდა ტრიგერი და გარე ტრიგერი არჩევითია
დესკტოპის და მოდულის პაკეტი არჩევითია
შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად
განაცხადი
ლაზერული მანძილის გაზომვა
თესლის სინათლის წყარო
ოპტიკური ბოჭკოების გაგზავნა
პასიური მოწყობილობის ტესტირება
Პარამეტრები
| პარამეტრის ინდექსი | მინ | ტიპი | მაქს | ერთეული |
| ცენტრალური ტალღის სიგრძე | 851 | 852 | 853 | nm |
| პიკური პულსის ოპტიკური სიმძლავრე | 50 | mW | ||
| სპექტრული ხაზის სიგანე | 1 | 2 | nm | |
| პულსის სიგანე | 3 | 100 | ns | |
| სინათლის პულსის გამეორების სიხშირე | 1 | 1000 | კჰც | |
| ოპტიკური სიმძლავრის სტაბილურობა | <1 | % | ||
| ტალღის სიგრძის სტაბილურობა | <0.01 | nm | ||
| პულსის სიგანის რეგულირების სიზუსტე | 1 | ns | ||
| პულსის სიგანის კორექტირების ნაბიჯის ზომა | 5 | ns | ||
| ხელახლა შეცვალეთ ნაბიჯის ზომა | 5 | კჰც | ||
| გამომავალი ოპტიკური იზოლაცია | 30 | dB | ||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი კონექტორი | FC/PC,FC/APC ან მომხმარებლის მითითებული | |||
| ოპტიკური ბოჭკოვანი ტიპი | HI 780 ან 62,5 μm MMF | |||
მრუდი
1. პიკური სიმძლავრე შეიძლება მიაღწიოს 25 ვტ-მდე იმპულსური გამაძლიერებლის დამატების შემდეგ
2. ბოჭკოვანი ხელმისაწვდომია 10 MHz, 50KHz ან უფრო ვიწრო
3.სურვილისამებრ მრავალრეჟიმიანი ბოჭკოვანი შეერთება
Ჩვენს შესახებ
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტროოპტიკური მოდულატორების, ფაზური მოდულატორების, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროების, DFB ლაზერების, ოპტიკური გამაძლიერებლების, EDFA-ს, SLD ლაზერებს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერებს, სინათლის დეტექტორებს, დაბალანსებულ ფოტოდეტექტორებს, ნახევარგამტარულ დრაივერებს. , ბოჭკოვანი დამწყებლები, პულსირებული ლაზერები, ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველები, ფართოზოლოვანი ლაზერები, რეგულირებადი ლაზერები, ოპტიკური დაყოვნების ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორები, ოპტიკური დეტექტორები, ლაზერული დიოდის დრაივერები, ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები, ერბიუმ-დოპირებული ბოჭკოვანი გამაძლიერებლები და ლაზერული სინათლის წყაროები.გარდა ამისა, ჩვენ გთავაზობთ ბევრ კონფიგურირებად მოდულატორს, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.ჩვენი პროდუქტები გვთავაზობენ ტალღის სიგრძის დიაპაზონს 780 ნმ-დან 2000 ნმ-მდე ელექტრო-ოპტიკური გამტარუნარიანობით 40 გჰც-მდე, დაბალი ჩასმის დანაკარგებით, დაბალი Vp და მაღალი PER-ით.ისინი იდეალურია სხვადასხვა აპლიკაციებისთვის, დაწყებული ანალოგური RF ბმულებიდან დაწყებული მაღალსიჩქარიანი კომუნიკაციებით.
დიდი უპირატესობები ინდუსტრიაში, როგორიცაა პერსონალიზაცია, მრავალფეროვნება, სპეციფიკაციები, მაღალი ეფექტურობა, შესანიშნავი მომსახურება.და 2016 წელს მოიპოვა პეკინის მაღალტექნოლოგიური საწარმოს სერთიფიკატი, აქვს მრავალი პატენტის სერთიფიკატი, ძლიერი სიძლიერე, პროდუქცია გაიყიდა სახლში და მის ფარგლებს გარეთ, თავისი სტაბილური, უმაღლესი შესრულებით, რათა მოიგოს მომხმარებლების ქება სახლში და მის ფარგლებს გარეთ!
21-ე საუკუნე არის ფოტოელექტრული ტექნოლოგიების ენერგიული განვითარების ერა, ROF მზადაა ყველაფერი გააკეთოს თქვენთვის, რომ მოგაწოდოთ მომსახურება და შექმნათ ბრწყინვალები თქვენთან ერთად.ჩვენ მოუთმენლად ველით თქვენთან თანამშრომლობას!
Rofea Optoelectronics გთავაზობთ კომერციული ელექტრო-ოპტიკური მოდულატორების, ფაზის მოდულატორების, ინტენსივობის მოდულატორის, ფოტოდეტექტორების, ლაზერული სინათლის წყაროებს, DFB ლაზერებს, ოპტიკურ გამაძლიერებლებს, EDFA, SLD ლაზერს, QPSK მოდულაციას, პულსის ლაზერს, სინათლის დეტექტორს, დაბალანსებულ ლაზერს. , ოპტიკურ-ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი, ოპტიკური სიმძლავრის მრიცხველი, ფართოზოლოვანი ლაზერი, რეგულირებადი ლაზერი, ოპტიკური დეტექტორი, ლაზერული დიოდის დრაივერი, ბოჭკოვანი გამაძლიერებელი.ჩვენ ასევე გთავაზობთ ბევრ კონკრეტულ მოდულატორს პერსონალიზაციისთვის, როგორიცაა 1*4 მასივის ფაზის მოდულატორები, ულტრა დაბალი Vpi და ულტრა მაღალი გადაშენების კოეფიციენტის მოდულატორები, რომლებიც ძირითადად გამოიყენება უნივერსიტეტებსა და ინსტიტუტებში.
ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენი პროდუქტები სასარგებლო იქნება თქვენთვის და თქვენი კვლევისთვის.
